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FF200R33KF2C
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FF200R33KF2C用途：A/宽频带放大导电沟道：P沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-N-FET锗N沟道相数：多相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FF200R33KF2C单元：2单元电压：200A电流：3300V封装：73MM详细说明
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2019-01-15 |
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FS200R12KT4R
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FS200R12KT4R用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FS200R12KT4R详细说明
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2019-01-01 |
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