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FP50R12KT4G
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FP50R12KT4G用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FP50R12KT4GEUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and Electronics company）的英文缩写。成立于1990年
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2019-05-13 |
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FS150R12KT4原装正品现货库存
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FS150R12KT4用途：D/变频换流导电沟道：P沟道导电方式：增强型封装外形：螺丝型材料：GE-N-FET锗N沟道相数：多相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式型号：FS150R12KT4单元：6单元电压：1200v电流：150a封装：62mm英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的
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2019-05-10 |
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供应FZ600R17KE4原装正品现货库存
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FZ600R17KE4用途：D/变频换流导电沟道：P沟道导电方式：增强型封装外形：螺丝型材料：GE-N-FET锗N沟道相数：多相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式型号：FZ600R17KE4单元：1单元电压：1700v电流：600a封装：62mm英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的
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2019-04-25 |
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FF300R17KE4
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FF300R17KE4用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FF300R17KE4EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and Electronics company）的英文缩写。成立于1990年
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2019-04-20 |
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FF75R12RT4
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FF75R12RT4用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FF75R12RT4EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and Electronics company）的英文缩写。成立于1990年，
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2019-03-17 |
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FP40R12KT3G
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FP40R12KT3G用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FP40R12KT3GEUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and Electronics company）的英文缩写。成立于1990年
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2019-03-11 |
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FF1400R12IP4原装现货长期供应
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FF1400R12IP4用途：A/宽频带放大导电沟道：P沟道导电方式：增强型封装外形：螺丝型材料：ALGaAS铝镓砷相数：多相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式型号：FF1400R12IP4单元：2单元电压：1200v电流：1400a封装：130mmUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and
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2019-02-28 |
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FF400R12KT3
品牌：英飞凌/INFINEON型号：FF400R12KT3用途：D-G双栅四极导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：直插材料：GE-P-FET锗P沟道相数：三相控制方式：脉冲频率调制（PFM）主电路形式：全桥式型号：FF400R12KT3EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司（EuropeanSemiconductors and Electronics company）的英文缩写。成立于1990年
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2019-02-28 |
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